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LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R030 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。

高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。

特性

• 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准

• 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET

集成高精度栅极偏置电压

200V/ns CMTI

2.2MHz 开关频率

30 V/ns 至 150 V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI

在 7.5V 至 18V 电源下工作

• 强大的保护

响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护

硬开关时可承受 720V 浪涌

针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护

• 高级电源管理

数字温度 PWM 输出

理想二极管模式可减少 LMG3425R030 中的第三象限损耗

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