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LMG3522R050RQSR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 50mΩ GaN FET

封装:52-VQFN
10起
2222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3526R050RQSR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测报告功能的 650V 50mΩ GaN FET

封装:52-VQFN
10起
2222
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3411R070RWHR
TI

产品说明:具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

封装:VQFN32
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3410R070RWHR
TI

产品说明:具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

封装:VQFN32
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3410R150RWHR
TI

产品说明:具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

封装:VQFN32
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3411R150RWHR
TI

产品说明:具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

封装:VQFN32
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3425R050RQZR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET

封装:VQFN54
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3422R050RQZR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

封装:VQFN54
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3425R030RQZR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET

封装:VQFN54
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3422R030RQZR
TI

产品说明:具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

封装:VQFN54
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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